机译:通过单一固体源前驱体Bis-(Morpholinodithioato-s,s’-Mo)硫化钼薄膜的MOCVD
机译:基于钼(V)的单源前驱体的硫化钼和氧化物薄膜的AACVD
机译:TBTEMT单源前驱体的氮化钽薄膜的MOCVD作为CMOS应用中的金属电极
机译:以双-(三甲基甲硅烷基)碳二亚胺或六甲基-二硅氮烷为单源前驱体的等离子体增强CVD技术
机译:通过大气压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)开发用于氧化锌薄膜生长的新型单源前驱体,用于微电子器件。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:沉积温度对MOCVD硫化钼薄膜一些性质的影响